IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR
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IGBT管是由哪两种器件复合而成的.()A.MOSFET和GTRB.GTO和MOSFETC.GTR和GTOD.MCT和MOSFET
IGBT管是由哪两种器件复合而成的()。A.MOSFET和GTRB.GTR和GTOC.GTO和MOSFETD.MCT和MOSFET
7、IGBT综合了P-MOSFET和GTR的优点,具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。
比较电力MOSFET与IGBT内部结构,说明电力MOSFET在开关特性上的优点。
IGBT管是由哪两种器件复合而成的()。A.MOSFET和GTRB.GTO和MOSFETC.GTR和GTOD.MCT和MOSFET
IGBT综合了P-MOSFET和GTR的优点,具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。